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La Micron ION 5210, le premier SSD embarquant de la technologie QLC

Par Ruby Charpentier

Intel et Micron ne manquent pas d’ambition concernant leur tout nouveau SSD. En effet, celui-ci dispose de la technologie innovante QLC, ce qui garantit de la haute performance. Les deux fabricants veulent ainsi se positionner sur le segment des disques durs à plateaux à destination des data centers.

Un premier SSD NAND Flash QLC à très haute capacité

Le partenariat est donc fructueux entre Intel et Micron, qui viennent de lancer un SSD particulièrement innovant, puisqu’il embarque la technologie NAND Flash Quad-Level Cell (QLC). Celle-ci a comme atout considérable d’améliorer la capacité de stockage. Et le premier prototype présenté est le Micron 5210 ION.

Celui-ci propose un espace de stockage allant de 1,92 à 7,68 To. Ce sont des capacités supérieures aux SSD « classiques », qui stockent au maximum trois bits par cellule, et cela sur trois niveaux (Triple Level Cell). La technologie QLC fait mieux.

En effet, celle-ci offre pas moins de quatre bits par cellule. C’est environ 1/3 de mieux que les unités standard TLC NAND. Et Micron a signalé que les débits en lecture séquentielle et aléatoire devraient se situer aux alentours de la série des SSD 5200, soit 540 Mo/s approximativement.

Une technologie QLC qui permet de réduire les coûts de production pour Intel et Micron

On devrait aussi retrouver un contrôleur similaire, en l’occurrence le Marvell 88SS1074. Il s’agit donc pour Micron et Intel de se positionner de manière concurrentielle sur le marché des disques durs qui nourrissent les data centers, et qui se situent généralement autour de 5400 à 7200 tours par minute.

De plus, la technologie QLC fait baisser de manière conséquente les coûts de production. Seul hic, la performance de l’endurance d’écriture, moindre que celles des SSD TLC. En effet, ces derniers promettent 3000 cycles d’écriture/effacement, là où l’on se situe à 1000 cycles pour le SSD embarquant la technologie QLC.

Enfin, les deux partenaires ont aussi parlé de leur future mémoire 3D NAND QLC, qui devrait être constituée de 96 couches. A l’heure actuelle, on se situe à 64 couches. Cela permettra l’obtention d’une capacité plus dense, mais dans un espace plus restreint.

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